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FDG1024NZ
MOSFET Doble, Canal N, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm
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|---|---|
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| 10+ | 0,556 € |
| 100+ | 0,378 € |
| 500+ | 0,335 € |
| 1000+ | 0,304 € |
| 5000+ | 0,273 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDG1024NZ
Código Farnell2322589
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N20V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.2A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.16ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.16ohm
Encapsulado del TransistorSC-70
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N360mW
Disipación de Potencia Canal P360mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The FDG1024NZ is a dual N-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
- Very low level gate drive requirements allowing operation in 1.5V circuits (VGS (th) <lt/>1V)
- Very small package outline
- ±8V Gate to source voltage
- 1.2A Continuous drain current
- 6A Pulsed drain current
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.2A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.16ohm
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
360mW
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.2A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.16ohm
Encapsulado del Transistor
SC-70
Disipación de Potencia Canal N
360mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000318
Trazabilidad del producto