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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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10+ | 4,190 € |
100+ | 2,370 € |
500+ | 2,190 € |
1000+ | 2,090 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDA69N25
Código Farnell2825145
Rango de ProductoUniFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)250V
Corriente de Drenaje Continua Id69A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.034ohm
Encapsulado del TransistorTO-3PN
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia480W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoUniFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
69A
Encapsulado del Transistor
TO-3PN
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
480W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
250V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.034ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
UniFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.007711
Trazabilidad del producto