FCD4N60TM
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,980 € |
| 10+ | 1,340 € |
| 100+ | 0,897 € |
| 500+ | 0,751 € |
| 1000+ | 0,692 € |
| 5000+ | 0,625 € |
Información del producto
Resumen del producto
El FCD4N60TM es un MOSFET de súper unión de alta tensión SuperFET® de canal N que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia en estado conductor (ON) excepcionalmente baja y rendimiento con carga de puerta inferior. Esta tecnología está diseñada para minimizar las pérdidas por conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior, capacidad dV/dt y energía superior de avalancha. Consecuentemente, el MOSFET SuperFET es muy adecuado para aplicaciones de conmutación de potencia como PFC, suministro de servidor/telecom, suministro de FPD TV, suministro de ATX y aplicaciones de suministro industrial.
- Ultrabaja carga de puerta (Qg = 12,8nC)
- Baja capacitancia efectiva de salida (Coss.eff = 32pF)
- 100% probado para avalancha
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Canal N
3.9A
TO-252 (DPAK)
10V
50W
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
600V
1ohm
Montaje Superficial
5V
3Pins
-
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto