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FCB20N60

Name: MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
Brand: ONSEMI
SKU: 1095000
Availability: InStock

MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial

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FabricanteONSEMI

Referencia del fabricanteFCB20N60

Código Farnell1095000

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Información del producto

FabricanteONSEMI

Referencia del fabricanteFCB20N60

Código Farnell1095000

Hoja de datos técnicos

Data Sheet

Tipo de CanalCanal N

Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V

Corriente de Drenaje Continua Id20A

Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.15ohm

Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)

Montaje de TransistorMontaje Superficial

Tensión de Prueba Rds(on)10V

Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V

Disipación de Potencia208W

Número de Pines3Pins

Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C

Gama de Producto-

Calificación-

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)

Resumen del producto

The FCB20N60 is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

Ultra low gate charge (Qg = 75nC)
Low effective output capacitance (Coss.eff = 165pF)
100% avalanche tested

Advertencias

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Especificaciones técnicas

Tipo de Canal

Canal N

Corriente de Drenaje Continua Id

20A

Encapsulado del Transistor

TO-263 (D2PAK)

Tensión de Prueba Rds(on)

10V

Disipación de Potencia

208W

Temperatura de Funcionamiento Máx.

150°C

Calificación

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

Lead (27-Jun-2024)

Tensión Drenador-Fuente (Vds)

600V

Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor

0.15ohm

Montaje de Transistor

Montaje Superficial

Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente

Número de Pines

3Pins

Gama de Producto

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

MSL 1 - Ilimitado

Documentos técnicos (1)

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Alternativas para FCB20N60

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Legislación y medioambiente

País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

N.º de tarifa85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme a RoHS:Y-Ex

RoHS

Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)

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Certificado de conformidad del producto

Peso (kg):.001458

Trazabilidad del producto