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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteBSS138LT1G
Código Farnell1431319RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)50V
Corriente de Drenaje Continua Id200mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor3.5ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.5V
Disipación de Potencia225mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El BSS138LT1G de On Semiconductor es un MOSFET de potencia de canal N de 50 V y montaje en superficie en encapsulado SOT-23. Ofrece baja tensión umbral y es ideal para aplicaciones de baja tensión. Sus aplicaciones típicas incluyen convertidores DC-DC, gestión de energía en productos portátiles y alimentados por batería como ordenadores, impresoras, tarjetas PCMCIA, teléfonos móviles y teléfonos inalámbricos.
- Tensión de drenador a fuente (Vds) de 50V
- Tensión de puerta a fuente de ±20V
- Corriente de drenaje continua (Id) de 200mA
- Disipación de potencia (pd) de 225mW
- Rango de temperatura de funcionamiento de -55°C a 150°C
- Baja resistencia en estado de conducción de 3,5ohm a Vgs de 5V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
200mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
225mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
50V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
3.5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.5V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para BSS138LT1G
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Productos asociados
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000008
Trazabilidad del producto