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BS170

Name: MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Orificio Pasante
Brand: ONSEMI
SKU: 1017687
Availability: InStock

MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Orificio Pasante

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FabricanteONSEMI

Referencia del fabricanteBS170

Código Farnell1017687

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Información del producto

FabricanteONSEMI

Referencia del fabricanteBS170

Código Farnell1017687

Hoja de datos técnicos

Data Sheet

Tipo de CanalCanal N

Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V

Corriente de Drenaje Continua Id500mA

Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1.2ohm

Encapsulado del TransistorTO-92

Montaje de TransistorOrificio Pasante

Tensión de Prueba Rds(on)10V

Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.1V

Disipación de Potencia830mW

Número de Pines3Pins

Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C

Gama de Producto-

Calificación-

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)

Resumen del producto

El BS170 es un transistor de efecto de campo de modo mejorado con canal N, fabricado con la tecnología DMOS de alta densidad de celdas. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado de conducción al tiempo que se proporciona un rendimiento duradero, fiable y de conmutación rápida. Se puede utilizar en la mayoría de aplicaciones que requieren hasta 500mA DC. También es adecuado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente como control de servomotores pequeños, controladores de puerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.

Interruptor de pequeña señal controlado por tensión
Fiable y resistente
Alta resistencia a corriente de saturación

Especificaciones técnicas

Tipo de Canal

Canal N

Corriente de Drenaje Continua Id

500mA

Encapsulado del Transistor

TO-92

Tensión de Prueba Rds(on)

10V

Disipación de Potencia

830mW

Temperatura de Funcionamiento Máx.

150°C

Calificación

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (27-Jun-2024)

Tensión Drenador-Fuente (Vds)

60V

Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor

1.2ohm

Montaje de Transistor

Orificio Pasante

Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente

2.1V

Número de Pines

3Pins

Gama de Producto

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

MSL 1 - Ilimitado

Documentos técnicos (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Alternativas para BS170

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Legislación y medioambiente

País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

N.º de tarifa85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme a RoHS:Sí

RoHS

Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)

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Certificado de conformidad del producto

Peso (kg):.0002

Trazabilidad del producto