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2N7000-D26Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Orificio Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricante2N7000-D26Z
Código Farnell1467958
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id200mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor5ohm
Encapsulado del TransistorTO-92
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.1V
Disipación de Potencia400mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The 2N7000_D26Z is a 60V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density, DMOS technology. It has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. This can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. This product is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
- 60V drain gate voltage (VDGR)
- ±20V continuous gate source voltage (VGSS)
- 312.5°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
200mA
Encapsulado del Transistor
TO-92
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
400mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
5ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.1V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para 2N7000-D26Z
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000515
Trazabilidad del producto