Imprimir página
PSMN1R5-30YL,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, SOT-669, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricantePSMN1R5-30YL,115
Código Farnell1845631
Hoja de datos técnicos
403 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,710 € |
| 10+ | 1,110 € |
| 100+ | 0,805 € |
| 500+ | 0,666 € |
| 1000+ | 0,624 € |
| 5000+ | 0,581 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
1,71 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricantePSMN1R5-30YL,115
Código Farnell1845631
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id100A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0013ohm
Encapsulado del TransistorSOT-669
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.7V
Disipación de Potencia109W
Número de Pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El PSMN1R5-30YL es un MOSFET de nivel lógico con cana N en tecnología TrenchMOS avanzada que proporciona baja RDS (ON) y baja carga de puerta. Está diseñado y certificado para uso en una gran variedad de convertidores DC-DC, protección de baterías de litio-ion, conmutación de carga, fuentes de alimentación de servidor y aplicaciones domésticas.
- Características mecánicas y térmicas mejoradas
- Altas ganancias en eficiencia en convertidores de conmutación de potencia
- LFPAK proporciona máxima densidad de potencia en un encapsulado SO8
- Rango de temperatura de unión de -55°C a 175°C
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
100A
Encapsulado del Transistor
SOT-669
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
109W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0013ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.7V
Número de Pines
4Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para PSMN1R5-30YL,115
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000027
Trazabilidad del producto