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PMV88ENEAR
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 2.2 A, 0.088 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,0736 € |
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Mínimo: 3000
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricantePMV88ENEAR
Código Farnell3132382RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id2.2A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.088ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.088ohm
Encapsulado del TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.7V
Disipación de Potencia615mW
Disipación de Potencia Pd615mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Estándar de Certificación para AutomociónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.088ohm
Encapsulado del Transistor
TO-263AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
615mW
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Estándar de Certificación para Automoción
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
2.2A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.088ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.7V
Disipación de Potencia Pd
615mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000002
Trazabilidad del producto