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PMV48XPA2R
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| 50+ | 0,237 € |
| 100+ | 0,123 € |
| 500+ | 0,118 € |
| 1500+ | 0,105 € |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricantePMV48XPA2R
Código Farnell3361018
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id4A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.037ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)8V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente950mV
Disipación de Potencia610mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
4A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
8V
Disipación de Potencia
610mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.037ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
950mV
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000091
Trazabilidad del producto