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NX3020NAKW,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 180 mA, 2.7 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteNX3020NAKW,115
Código Farnell2311183
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,196 € |
| 10+ | 0,136 € |
| 100+ | 0,0606 € |
| 500+ | 0,0478 € |
| 1000+ | 0,0449 € |
| 5000+ | 0,0244 € |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteNX3020NAKW,115
Código Farnell2311183
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id180mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor2.7ohm
Encapsulado del TransistorSOT-323
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.2V
Disipación de Potencia300mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NX3020NAKW es un FET de modo mejorado de canal N en encapsulado de plástico compacto de montaje superficial con tecnología MOSFET de zanja. Es apto para usar en controladores de relé, conmutación de carga de lado bajo, controladores de línea de alta velocidad y aplicaciones de circuito de conmutación.
- Conmutación muy rápida
- Tecnología MOSFET de zanja
- Protección ESD
- Baja tensión umbral
- Rango de temperatura de unión de -55ºC a 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
180mA
Encapsulado del Transistor
SOT-323
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
2.7ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.2V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000006
Trazabilidad del producto