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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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500+ | 1,480 € |
1000+ | 1,260 € |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteBUK763R1-60E,118
Código Farnell3439656
Rango de ProductoTrenchMOS
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id120A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.00234ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia293W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoTrenchMOS
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
120A
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
293W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.00234ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
TrenchMOS
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001