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BSS138PW,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,297 € |
| 10+ | 0,129 € |
| 100+ | 0,0802 € |
| 500+ | 0,0711 € |
| 1000+ | 0,066 € |
| 5000+ | 0,0362 € |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteBSS138PW,115
Código Farnell1907611
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id320mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1.6ohm
Encapsulado del TransistorSOT-323
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.2V
Disipación de Potencia830mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSS138PW es un transistor de efecto de campo de modo mejorado con canal N (FET) en un encapsulado plástico de montaje superficial (SMD) que emplea la tecnología MOSFET de zanja.
- Compatible con nivel lógico
- Conmutación muy rápida
- Protección ESD hasta 1,5kV
- Certificación AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
320mA
Encapsulado del Transistor
SOT-323
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
830mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
1.6ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.2V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para BSS138PW,115
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Productos asociados
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000136
Trazabilidad del producto