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HMT02N02S
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteMULTICOMP PRO
Referencia del fabricanteHMT02N02S
Código Farnell4295180
Rango de ProductoMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,120 € |
| 10+ | 0,0963 € |
| 100+ | 0,0689 € |
| 500+ | 0,0481 € |
| 1000+ | 0,0344 € |
| 5000+ | 0,0301 € |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteMULTICOMP PRO
Referencia del fabricanteHMT02N02S
Código Farnell4295180
Rango de ProductoMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id2A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.13ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.1V
Disipación de Potencia700mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
The HMT02N02S is a high-efficiency N-channel MOSFET optimized for low-voltage, low-current applications. It features very low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for precision control tasks. This MOSFET is ideal for use in small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and various switching applications where compact size and high performance are essential.
- Trench Power LV MOSFET Technology
- High Power and Current Handing Capability
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
2A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
700mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.13ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.1V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
Multicomp Pro N Channel MOSFETs
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000009
Trazabilidad del producto