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HMF12N65S
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 12 A, 0.85 ohm, TO-220F, Orificio Pasante
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FabricanteMULTICOMP PRO
Referencia del fabricanteHMF12N65S
Código Farnell4295178
Rango de ProductoMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Hoja de datos técnicos
5000 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 18,440 € |
| 5+ | 12,290 € |
| 10+ | 10,060 € |
| 50+ | 7,910 € |
| 100+ | 6,150 € |
| 250+ | 5,530 € |
Precio para:Cada
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Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteMULTICOMP PRO
Referencia del fabricanteHMF12N65S
Código Farnell4295178
Rango de ProductoMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id12A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.85ohm
Encapsulado del TransistorTO-220F
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia51W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Resumen del producto
The HMF12N65S is a high-performance N-channel MOSFET designed for a wide range of power switching applications. It boasts a low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for high-efficiency power conversion. This MOSFET is engineered to handle high voltages and currents, ensuring robust and reliable performance in demanding conditions. Typical applications include power supplies, motor drives, and high-voltage circuits.
- RDS(ON) = 0.82Ω @ VGS = 30V
- Ultra Low Gate Charge
- Low Reverse Transfer Capacitance
- Fast Switching Capability
- Avalanche Energy Specified
- Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
12A
Encapsulado del Transistor
TO-220F
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
51W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.85ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
Multicomp Pro N Channel MOSFETs
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002193
Trazabilidad del producto