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BSS138W-7-F
MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-323-3
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FabricanteMULTICOMP PRO
Referencia del fabricanteBSS138W-7-F
Código Farnell2306394
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
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| 1+ | 0,220 € |
| 10+ | 0,186 € |
| 50+ | 0,084 € |
| 100+ | 0,061 € |
| 500+ | 0,047 € |
| 1000+ | 0,041 € |
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Información del producto
FabricanteMULTICOMP PRO
Referencia del fabricanteBSS138W-7-F
Código Farnell2306394
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)50V
Corriente de Drenaje Continua Id200mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1.4ohm
Encapsulado del TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.2V
Disipación de Potencia200mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
200mA
Encapsulado del Transistor
SOT-323
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
200mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
50V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
1.4ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.2V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:No
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:No
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000088