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2N7002K
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteMULTICOMP PRO
Referencia del fabricante2N7002K
Código Farnell4295175
Rango de ProductoMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,111 € |
| 10+ | 0,0891 € |
| 100+ | 0,0637 € |
| 500+ | 0,0446 € |
| 1000+ | 0,0318 € |
| 5000+ | 0,0278 € |
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Información del producto
FabricanteMULTICOMP PRO
Referencia del fabricante2N7002K
Código Farnell4295175
Rango de ProductoMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id340mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor5ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.5V
Disipación de Potencia350mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
These N-channel enhancement mode field-effect transistors are manufactured with high cell density DMOS technology. They are designed to minimize on-state resistance while delivering rugged, reliable, and fast switching performance. These transistors are especially well-suited for low-voltage, low-current applications, including small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
- Voltage Controlled Small Signal Switch
- ESD Protected
- High Density Cell Design for Low On-Resistance
- Load Switch for Portable Devices
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
340mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
350mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.5V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
Multicomp Pro N Channel MOSFETs
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000009
Trazabilidad del producto