MTA9ASF1G72HZ-3G2R1

MTA9ASF1G72HZ-3G2R1 es un módulo SDRAM DDR4 de alta velocidad. El módulo SDRAM DDR4 se beneficia del uso de una arquitectura 8n-prefetch con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Una única operación de LECTURA o ESCRITURA de la SDRAM DDR4 consiste en una única transferencia de datos de 8n bits y cuatro ciclos de reloj en el núcleo interno de la DRAM y ocho transferencias de datos correspondientes de n bits y medio ciclo de reloj en las patillas de E/S. Los módulos DDR4 utilizan dos conjuntos de señales diferenciales: DQS_t y DQS_c para capturar datos y CK_t y CK_c para capturar comandos, direcciones y señales de control. Los relojes diferenciales y las señales estroboscópicas de datos garantizan una excepcional inmunidad al ruido para estas señales y proporcionan puntos de cruce precisos para capturar las señales de entrada.

• Admite detección y corrección de errores ECC
• Terminación en dado (ODT) nominal y dinámica para datos, estroboscopio y señales de máscara
• Autorrecuperación automática de bajo consumo (LPASR), inversión del bus de datos (DBI) para el bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en el chip, un solo rango, 16 bancos internos, 4 grupos de 4 bancos cada uno
• Sensor de temperatura I2C integrado con detector de movimiento EEPROM (SPD) de serie integrado
• Truncamiento de ráfaga (BC) fija de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 mediante ajuste de registro de modo (MRS)
• BC4 seleccionable o BL8 sobre la marcha (OTF)m contactos de borde dorado, topología fly-by
• Control con terminal, comando y bus de dirección
• Densidad de módulo 8GB, configuración 1 Gig x 72, ancho de banda de modulación 25,6GB/s
• Paquete DIMM de 260 pines, temperatura de funcionamiento comercial 0°C ≤ TOPER ≤ 95°C