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TP2104N3-G
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, Orificio Pasante
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
Referencia del fabricanteTP2104N3-G
Código Farnell2775067
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id175mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor6ohm
Encapsulado del TransistorTO-92
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2V
Disipación de Potencia740mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown
- Suitable for logic level interfaces (ideal for TTL and CMOS), solid state relays, battery operated systems, photo voltaic drives, analogue switches etc..
- High input impedance and high gain
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- Free from secondary breakdown
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
175mA
Encapsulado del Transistor
TO-92
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
740mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
6ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0002
Trazabilidad del producto