DN3135K1-G
MOSFET de Potencia, Canal N, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,658 € |
| 25+ | 0,553 € |
| 100+ | 0,540 € |
| 3000+ | 0,505 € |
Información del producto
Resumen del producto
El DN3135K1-G es un FET DMOS vertical de canal N con modo de agotamiento que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y proceso de fabricación de puerta de silicio probado de Supertex. Esta combinación produce un dispositivo con las capacidades de gestión de potencia de los transistores bipolares más la alta impedancia de entrada y coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico de las estructuras MOS, este dispositivo está libre de fuga térmica y ruptura secundaria inducida térmicamente. Es ideal para una gran variedad de aplicaciones de conmutación y amplificación que buscan alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápidas.
- Baja resistencia en estado conductor (ON)
- Libre de ruptura secundaria
- Baja fuga de entrada y salida
Especificaciones técnicas
Canal N
72mA
SOT-23
0V
360mW
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
350V
35ohm
Montaje Superficial
-
3Pins
-
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto