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IXTY02N120P.
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.2A, TO-252
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FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTY02N120P.
Código Farnell3771796
Rango de ProductoPolar Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,960 € |
| 25+ | 1,460 € |
| 100+ | 1,170 € |
| 250+ | 1,110 € |
| 500+ | 1,050 € |
| 1000+ | 0,988 € |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTY02N120P.
Código Farnell3771796
Rango de ProductoPolar Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Corriente de Drenaje Continua Id200mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor75ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia33W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoPolar Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
200mA
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
33W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
75ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
Polar Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.005443