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IXTT1N450HV.
MOSFET, N-CH, 4.5KV, 1A, TO-268HV
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FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTT1N450HV.
Código Farnell3771273
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTT1N450HV.
Código Farnell3771273
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)4.5kV
Corriente de Drenaje Continua Id1A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor85ohm
Encapsulado del TransistorTO-268HV
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Prueba Rds(on)-
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente-
Disipación de Potencia520W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.-
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
1A
Encapsulado del Transistor
TO-268HV
Tensión de Prueba Rds(on)
-
Disipación de Potencia
520W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
-
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
4.5kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
85ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
-
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.004959
Trazabilidad del producto