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IXTH16P60P
MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-247
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FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTH16P60P
Código Farnell3771261
Rango de ProductoPolarP Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 11,420 € |
| 5+ | 10,510 € |
| 10+ | 9,600 € |
| 25+ | 8,680 € |
| 100+ | 7,780 € |
| 500+ | 7,130 € |
| 1000+ | 6,400 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTH16P60P
Código Farnell3771261
Rango de ProductoPolarP Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V
Corriente de Drenaje Continua Id16A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.72ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia460W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoPolarP Series
Calificación-
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
16A
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
460W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
600V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.72ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
PolarP Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.007893