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IXFX230N20T
MOSFET, N-CH, 200V, 230A, PLUS247
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FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXFX230N20T
Código Farnell3771250
Rango de ProductoGigaMOS Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 23,410 € |
| 5+ | 21,660 € |
| 10+ | 19,930 € |
| 25+ | 18,190 € |
| 100+ | 16,440 € |
| 500+ | 15,550 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXFX230N20T
Código Farnell3771250
Rango de ProductoGigaMOS Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)200V
Corriente de Drenaje Continua Id230A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0075ohm
Encapsulado del TransistorPLUS247
Montaje de TransistorThrough Hole
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia1.67kW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoGigaMOS Series
Calificación-
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
230A
Encapsulado del Transistor
PLUS247
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.67kW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
200V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0075ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
GigaMOS Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.010433