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IXFN520N075T2
MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227
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FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXFN520N075T2
Código Farnell3771785
Rango de ProductoTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 33,420 € |
| 5+ | 29,070 € |
| 10+ | 24,720 € |
| 25+ | 23,260 € |
| 100+ | 21,810 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXFN520N075T2
Código Farnell3771785
Rango de ProductoTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Corriente de Drenaje Continua Id480A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)75V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0015ohm
Encapsulado del TransistorSOT-227
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Montaje de TransistorModule
Disipación de Potencia940W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Número de pines4Pins
Calificación-
Gama de ProductoTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
75V
Encapsulado del Transistor
SOT-227
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Disipación de Potencia
940W
Número de pines
4Pins
Gama de Producto
Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
Corriente de Drenaje Continua Id
480A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0015ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Montaje de Transistor
Module
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.044725