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SPP80P06PHXKSA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-220, Orificio Pasante
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteSPP80P06PHXKSA1
Código Farnell2432734
También conocido comoSPP80P06P H, SP000441774
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,490 € |
| 10+ | 2,600 € |
| 100+ | 2,010 € |
| 500+ | 1,590 € |
| 1000+ | 1,520 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteSPP80P06PHXKSA1
Código Farnell2432734
También conocido comoSPP80P06P H, SP000441774
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id80A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.023ohm
Encapsulado del TransistorTO-220
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia340W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The SPP80P06P H is a SIPMOS® P-channel enhancement mode Power Transistor. This transistor consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
- ±20V Gate-source voltage
- Avalanche rated
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
80A
Encapsulado del Transistor
TO-220
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
340W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.023ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000907
Trazabilidad del producto