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SPD08P06PGBTMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 8.83 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteSPD08P06PGBTMA1
Código Farnell2212864
También conocido comoSPD08P06P G, SP000450534
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,619 € |
| 10+ | 0,493 € |
| 100+ | 0,373 € |
| 500+ | 0,290 € |
| 1000+ | 0,254 € |
| 5000+ | 0,234 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteSPD08P06PGBTMA1
Código Farnell2212864
También conocido comoSPD08P06P G, SP000450534
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id8.83A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.23ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)6.2V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia42W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The SPD08P06P G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC Q101
- dV/dt Rated
- Qualified according to AEC-Q101
- Green device
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
8.83A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
6.2V
Disipación de Potencia
42W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.23ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0003