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SPD08N50C3ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteSPD08N50C3ATMA1
Código Farnell1664112
Rango de ProductoCoolMOS Series
También conocido comoSPD08N50C3 , SP001117776
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
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| 10+ | 1,270 € |
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| 500+ | 0,869 € |
| 1000+ | 0,767 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteSPD08N50C3ATMA1
Código Farnell1664112
Rango de ProductoCoolMOS Series
También conocido comoSPD08N50C3 , SP001117776
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)500V
Corriente de Drenaje Continua Id7.6A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.6ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.9V
Disipación de Potencia83W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoCoolMOS Series
Calificación-
Resumen del producto
The SPD08N50C3 is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET comes with a new revolutionary high voltage technology. It offers ultra-low gate charge and ultra-low effective capacitances. The 500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the “working horse" of the portfolio.
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @ 400V
- Low gate charge (Qg)
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- High reliability
- Ease of use
- Periodic avalanche rated
- Extreme dV/dt rated
- Improved transconductance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Notas
Una alternativa para 500V CoolMOS™ C3 es 500V CoolMOS™ CE.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
7.6A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
83W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
500V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.6ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.9V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
CoolMOS Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000907
Trazabilidad del producto