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IRLR3110ZTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,837 € |
| 500+ | 0,640 € |
| 1000+ | 0,629 € |
| 5000+ | 0,627 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRLR3110ZTRPBF
Código Farnell2726017RL
Rango de ProductoHEXFET
También conocido comoSP001574010
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id42A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.011ohm
Encapsulado del TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1V
Disipación de Potencia140W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- HEXFET® power MOSFET specifically designed for Industrial applications
- Advanced process technology
- Ultra-low on-resistance
- 175°C operating temperature
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
42A
Encapsulado del Transistor
TO-252AA
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
140W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.011ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para IRLR3110ZTRPBF
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0004