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IRLML6402TRPBF
Transistor MOSFET, Canal P, 3.7A, 20V, 65 mohm, 1.3W, SOT-23
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRLML6402TRPBF
Código Farnell9103503RL
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001552740
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 50+ | 0,244 € |
| 250+ | 0,128 € |
| 1000+ | 0,107 € |
| 3000+ | 0,0854 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 100
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRLML6402TRPBF
Código Farnell9103503RL
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001552740
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id3.7A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.065ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente550mV
Disipación de Potencia1.3W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- 0.01W/°C linear derating factor
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
3.7A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.3W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.065ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
550mV
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para IRLML6402TRPBF
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000091
Trazabilidad del producto