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IRLML6402TRPBF
Transistor MOSFET, Canal P, 3.7A, 20V, 65 mohm, 1.3W, SOT-23
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRLML6402TRPBF
Código Farnell9103503
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001552740
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,417 € |
| 50+ | 0,244 € |
| 250+ | 0,128 € |
| 1000+ | 0,107 € |
| 3000+ | 0,0854 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRLML6402TRPBF
Código Farnell9103503
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001552740
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id3.7A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.065ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente550mV
Disipación de Potencia1.3W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IRLML6402PBF is -20V single P channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications such as battery and load management, portable electronics and PCMCIA cards and printed circuit board where space is at a premium.
- Drain to source voltage (Vds) of -20V
- Gate to source voltage of ±12V
- On resistance Rds(on) of 80mohm at Vgs -2.5V
- Power dissipation Pd of 1.3W at 25°C
- Continuous drain current Id of -3.7A at Vgs -4.5V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
- 0.01W/°C linear derating factor
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
3.7A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.3W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.065ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
550mV
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para IRLML6402TRPBF
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000091
Trazabilidad del producto