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IRLML6246TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRLML6246TRPBF
Código Farnell3155157RL
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001568932
Hoja de datos técnicos
3820 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRLML6246TRPBF
Código Farnell3155157RL
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001568932
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id4.1A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.046ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.03ohm
Encapsulado del TransistorTO-236AB (SOT-23)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.1V
Disipación de Potencia1.3W
Disipación de Potencia Pd1.3W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Estándar de Certificación para Automoción-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IRLML6246TRPBF is a HEXFET Power MOSFET in a 3 pin SOT-23 package. Suitable for load/system switch applications.
- Drain-source voltage is 20V
- Gate-to-source voltage is ±12V
- Continuous drain current is 4.1A VGS at 10V, TA = 25°C
- RDS(on) max is 46mohm (at VGS = 4.5V)
- Maximum power dissipation is 1.3W at TA = 25°C
- Operating temperature range from -55 to 150°C
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.046ohm
Encapsulado del Transistor
TO-236AB (SOT-23)
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.3W
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET Series
Estándar de Certificación para Automoción
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
4.1A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.03ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.1V
Disipación de Potencia Pd
1.3W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Alternativas para IRLML6246TRPBF
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0002
Trazabilidad del producto