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IRLB8721PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 31 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRLB8721PBF
Código Farnell1740783
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001558140
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
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| 500+ | 0,499 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRLB8721PBF
Código Farnell1740783
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001558140
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id31A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0065ohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.8V
Disipación de Potencia65W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para IRLB8721PBF
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Resumen del producto
El IRLB8721PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® con canal N simple de 30V que presenta resistencia en estado conductor extremadamente baja por área de silicio y rendimiento de conmutación rápido empleando la tecnología MOSFET de zanja. Es apto para convertidores buck síncronos de alta frecuencia para alimentación de procesador de ordenador, optimizado para aplicaciones de inversor/UPS, convertidores DC-DC aislados de alta frecuencia con rectificación síncrona para uso industrial y telecomunicación.
- Muy baja RDS (ON) a 4,5V VGS
- Impedancia de puerta ultrabaja
- Corriente y tensión de avalancha y capacitancia totalmente caracterizadas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
31A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
65W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0065ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.8V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002