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IRLB8314PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 171 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRLB8314PBF
Código Farnell2617411
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001572766
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,310 € |
| 10+ | 0,613 € |
| 100+ | 0,567 € |
| 500+ | 0,487 € |
| 1000+ | 0,444 € |
| 5000+ | 0,361 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRLB8314PBF
Código Farnell2617411
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001572766
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id171A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0024ohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.2V
Disipación de Potencia125W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IRLB8314PBF is a HEXFET® power MOSFET. Application includes optimized for UPS/inverter applications, low voltage power tools.
- Best in Class performance for UPS/Inverter applications
- Ultra-low gate impedance, fully characterized avalanche voltage and current
- Static drain-to-source on-resistance is 1.9mohm typ (VGS = 10V, ID = 68A, TJ = 25°C)
- Total gate charge is 40nC typ (VDS = 15V, VGS = 4.5V, ID = 68A, TJ = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is 30V min (VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 19ns typ (VDD = 15V, TJ = 25°C)
- Turn-off delay time is 32ns typ (VDD = 15V, TJ = 25°C)
- Input capacitance is 5050pF typ (VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Output capacitance is 890pF typ (VGS = 0V, TJ = 25°C)
- TO-220AB package, operating junction temperature range from -55 to + 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
171A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0024ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.2V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.005534