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IRL60SL216
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 298 A, 0.00195 ohm, TO-262, Orificio Pasante
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRL60SL216
Código Farnell3514440
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
También conocido comoSP001558100
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 5+ | 3,590 € |
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| 50+ | 3,440 € |
| 100+ | 3,370 € |
| 250+ | 3,290 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRL60SL216
Código Farnell3514440
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
También conocido comoSP001558100
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id298A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.00195ohm
Encapsulado del TransistorTO-262
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.4V
Disipación de Potencia375W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
IRL60SL216 is a HEXFET® power MOSFET. Typical applications include brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery-powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters and DC/AC inverters.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Maximum power dissipation of 375W
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
298A
Encapsulado del Transistor
TO-262
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
375W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.00195ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
StrongIRFET HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00143