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IRFZ44NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFZ44NPBF
Código Farnell8650225
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001565354
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,390 € |
| 10+ | 0,681 € |
| 100+ | 0,599 € |
| 500+ | 0,467 € |
| 1000+ | 0,392 € |
| 5000+ | 0,347 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFZ44NPBF
Código Farnell8650225
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001565354
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)55V
Corriente de Drenaje Continua Id41A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0175ohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia94W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFZ44NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con resistencia en estado conductor extremadamente baja por área de silicio y rendimiento de conmutación rápida. Este beneficio, en combinación con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto de estos MOSFETs de potencia HEXFET, ofrecen al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para usar en una gran variedad de aplicaciones.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Totalmente certificado para avalancha
- Tecnología de proceso avanzada
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
41A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
94W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
55V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0175ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para IRFZ44NPBF
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002
Trazabilidad del producto