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IRFS7530TRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 295 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFS7530TRLPBF
Código Farnell2709996RL
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
También conocido comoSP001567992
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFS7530TRLPBF
Código Farnell2709996RL
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
También conocido comoSP001567992
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id295A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.002ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.7V
Disipación de Potencia375W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IRFS7530TRLPBF is a HEXFET® power MOSFET. Typical applications include brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters and DC/AC inverters.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- 375W maximum power dissipation at TC = 25°C
- 2.5W/°C linear derating factor
- ±20V gate-to-source voltage
- D2-Pak package
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
295A
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
375W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.002ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.7V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
StrongIRFET HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Alternativas para IRFS7530TRLPBF
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001227
Trazabilidad del producto