IRFR5410TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,702 € |
| 500+ | 0,566 € |
| 1000+ | 0,520 € |
| 5000+ | 0,446 € |
Información del producto
Resumen del producto
The IRFR5410TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Canal P
13A
TO-252AA
10V
66W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
100V
0.205ohm
Montaje Superficial
4V
3Pins
-
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Alternativas para IRFR5410TRPBF
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
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