Imprimir página
IRFR024NTRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
1966 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Disponible hasta que se agoten las existencias
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,817 € |
| 50+ | 0,590 € |
| 100+ | 0,490 € |
| 500+ | 0,441 € |
| 1500+ | 0,359 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiplo: 5
4,08 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFR024NTRLPBF
Código Farnell2577173
Rango de ProductoHEXFET
También conocido comoSP001560558
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)55V
Corriente de Drenaje Continua Id17A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.075ohm
Encapsulado del TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia45W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Alternativas para IRFR024NTRLPBF
5 productos encontrados
Resumen del producto
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
17A
Encapsulado del Transistor
TO-252AA
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
45W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
55V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.075ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (4)
Productos asociados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000505
Trazabilidad del producto