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IRFP4668PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 130 A, 0.0097 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFP4668PBF
Código Farnell1684526
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001572854
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,250 € |
| 5+ | 3,990 € |
| 10+ | 3,740 € |
| 50+ | 3,480 € |
| 100+ | 3,230 € |
| 250+ | 2,970 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFP4668PBF
Código Farnell1684526
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001572854
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)200V
Corriente de Drenaje Continua Id130A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0097ohm
Encapsulado del TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)30V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia520W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IRFP4668PBF is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET featured with improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness, fast switching. Applicable at high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Drain to source voltage (Vds) of 200V
- Gate to source voltage of ±30V
- On resistance Rds(on) of 8mohm at Vgs 10V
- Power dissipation Pd of 520W at 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
130A
Encapsulado del Transistor
TO-247AC
Tensión de Prueba Rds(on)
30V
Disipación de Potencia
520W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
200V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0097ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.006