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IRFH7545TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 85 A, 0.0043 ohm, PQFN, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFH7545TRPBF
Código Farnell2709882RL
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
También conocido comoSP001554800
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,500 € |
| 500+ | 0,490 € |
| 1000+ | 0,489 € |
| 5000+ | 0,488 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFH7545TRPBF
Código Farnell2709882RL
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
También conocido comoSP001554800
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id85A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0043ohm
Encapsulado del TransistorPQFN
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.7V
Disipación de Potencia83W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoStrongIRFET, HEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET suitable for use in brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters and DC/AC inverters applications.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Product qualification according to JEDEC standard
- Softer body-diode compared to previous silicon generation
- Standard pinout allows for drop in replacement
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
- Increased power density
- Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
85A
Encapsulado del Transistor
PQFN
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
83W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0043ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.7V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
StrongIRFET, HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000143
Trazabilidad del producto