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IRFH7446TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 85 A, 0.0033 ohm, QFN, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFH7446TRPBF
Código Farnell2253809
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
También conocido comoSP001577894
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,590 € |
| 10+ | 1,060 € |
| 100+ | 0,709 € |
| 500+ | 0,589 € |
| 1000+ | 0,536 € |
| 5000+ | 0,475 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFH7446TRPBF
Código Farnell2253809
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
También conocido comoSP001577894
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id85A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0033ohm
Encapsulado del TransistorQFN
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.9V
Disipación de Potencia78W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para IRFH7446TRPBF
2 productos encontrados
Resumen del producto
40V single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET suitable for battery management systems, power tools, DC drives and electric toys applications.
- Industry standard surface-mount power package
- Product qualification according to JEDEC standard
- Silicon optimized for applications switching below <lt/> 100KHz
- Softer body-diode compared to previous silicon generation
- Wide portfolio available
- Standard pinout allows for drop in replacement
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
- Increased power density
- Provides designers flexibility in selecting most optimal device for their application
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
85A
Encapsulado del Transistor
QFN
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
78W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0033ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.9V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
StrongIRFET HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000091