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IRFB7530PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFB7530PBF
Código Farnell2406514
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
También conocido comoSP001575524
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,860 € |
| 10+ | 2,800 € |
| 100+ | 1,510 € |
| 500+ | 1,350 € |
| 1000+ | 1,340 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFB7530PBF
Código Farnell2406514
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
También conocido comoSP001575524
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id195A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.002ohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.7V
Disipación de Potencia375W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFB7530PBF es un MOSFET de potencia de canal N simple HEXFET® que ofrece robustez mejorada de puerta, avalancha y capacidad dV/dt dinámica. Es adecuado para circuitos alimentados por batería, aplicaciones de rectificador síncrono, interruptores de potencia redundante y junta tórica, topologías de medio puente y puente completo.
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad mejorada dv/dt y di/dt de cuerpo de diodo
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
195A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
375W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.002ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.7V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
StrongIRFET HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para IRFB7530PBF
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00195