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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFB52N15DPBF
Código Farnell8657980
También conocido comoSP001572332
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 2,240 € |
10+ | 2,120 € |
100+ | 1,520 € |
500+ | 1,210 € |
1000+ | 1,120 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFB52N15DPBF
Código Farnell8657980
También conocido comoSP001572332
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)150V
Corriente de Drenaje Continua Id60A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.032ohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia320W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IRFB52N15DPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters and plasma display panel.
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Low gate-to-drain charge to reduce switching losses
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
60A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
320W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
150V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.032ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002
Trazabilidad del producto