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IRFB4115PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 104 A, 0.0093 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFB4115PBF
Código Farnell1698286
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001565902
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,680 € |
| 10+ | 1,800 € |
| 100+ | 1,450 € |
| 500+ | 1,110 € |
| 1000+ | 1,000 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRFB4115PBF
Código Farnell1698286
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001565902
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)150V
Corriente de Drenaje Continua Id104A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0093ohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia380W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IRFB4115PBF is a 150V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
104A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
380W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
150V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0093ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002