Imprimir página
IRF9540NPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF9540NPBF
Código Farnell8648620
También conocido comoSP001560174
Hoja de datos técnicos
50.303 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,460 € |
| 10+ | 1,300 € |
| 100+ | 0,707 € |
| 500+ | 0,599 € |
| 1000+ | 0,525 € |
| 5000+ | 0,491 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
1,46 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF9540NPBF
Código Farnell8648620
También conocido comoSP001560174
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id23A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.117ohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia140W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF9540NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un canal P de -100V en TO-220AB. Este MOSFET cuenta con una resistencia en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, clasificación dinámica dv/dt, conmutación rápida y clasificación total para avalancha. Como resultado, estos MOSFET de potencia son conocidos por su eficiencia y fiabilidad extremas que los hacen aptos para usar en una gran variedad de aplicaciones.
- Tensión Vds de drenador a fuente de -100V
- Tensión de puerta a fuente de ±20V
- Resistencia Rds(on) en estado de conducción de 117mohm a Vgs de -10V
- Disipación de potencia Pd de 140W a 25°C
- Corriente de drenaje continua Id de -23A a Vgs -10V y 25 °C
- Rango de temperatura de unión en funcionamiento de -55°C a 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
23A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
140W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.117ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002041