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IRF7580MTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF7580MTRPBF
Código Farnell2710001
Rango de ProductoStrongIRFET, DirectFET
También conocido comoSP001551448
Hoja de datos técnicos
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF7580MTRPBF
Código Farnell2710001
Rango de ProductoStrongIRFET, DirectFET
También conocido comoSP001551448
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id114A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0029ohm
Encapsulado del TransistorDirectFET ME
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.7V
Disipación de Potencia96W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoStrongIRFET, DirectFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Alternativas para IRF7580MTRPBF
Se ha encontrado 1 producto
Resumen del producto
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
114A
Encapsulado del Transistor
DirectFET ME
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
96W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0029ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.7V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
StrongIRFET, DirectFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0003