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IRF6645TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF6645TRPBF
Código Farnell2725892
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001562050
Hoja de datos técnicos
9660 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,090 € |
| 10+ | 0,841 € |
| 100+ | 0,678 € |
| 500+ | 0,516 € |
| 1000+ | 0,466 € |
| 5000+ | 0,431 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF6645TRPBF
Código Farnell2725892
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001562050
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id25A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.035ohm
Encapsulado del TransistorDirectFET SJ
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.9V
Disipación de Potencia42W
Número de Pines7Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Single N-channel strongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ SJ package suitable for use in power supplies and isolated DC-DC converters.
- Optimized for synchronous rectification
- Application specific MOSFET
- Product qualification according to JEDEC standard
- High-current rating
- Dual-side cooling capability
- High power density
- Optimum thermal performance
- Compact form factor
- High efficiency
- Environmentally friendly
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
25A
Encapsulado del Transistor
DirectFET SJ
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
42W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.035ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.9V
Número de Pines
7Pins
Gama de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000121
Trazabilidad del producto