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IRF540NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF540NPBF
Código Farnell8648298
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001561906
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,070 € |
| 10+ | 1,000 € |
| 100+ | 0,608 € |
| 500+ | 0,511 € |
| 1000+ | 0,476 € |
| 5000+ | 0,435 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF540NPBF
Código Farnell8648298
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001561906
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id33A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.044ohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia130W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF540NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 100V en un encapsulado TO-220AB de 3 pines. Utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para conseguir una resistencia en conducción extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, en combinación con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto de estos MOSFETs de potencia HEXFET, ofrecen al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para usar en una gran variedad de aplicaciones.
- Tensión Vds de drenador a fuente de 100V
- Tensión de puerta a fuente de ±20V
- Resistencia Rds(on) en estado de conducción de 44mohm a Vgs de 10V
- Disipación de potencia Pd de 130W a 25°C
- Corriente de drenaje continua Id de 33A a Vgs 10V y 25 °C
- Rango de temperatura de unión en operación de -55°C a 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
33A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
130W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.044ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para IRF540NPBF
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002712