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IRF5305PBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF5305PBF
Código Farnell8648255
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001564354
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,620 € |
| 10+ | 1,260 € |
| 100+ | 0,731 € |
| 500+ | 0,579 € |
| 1000+ | 0,523 € |
| 5000+ | 0,509 € |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF5305PBF
Código Farnell8648255
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001564354
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)55V
Corriente de Drenaje Continua Id31A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.06ohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia110W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF5305PBF es un MOSFET de potencia HEXFET de canal P simple de -55V en un encapsulado TO-220AB. Este MOSFET cuenta con una resistencia en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, clasificación dinámica dv/dt, conmutación rápida y clasificación total para avalancha. Como resultado, estos MOSFET de potencia son conocidos por su eficiencia y fiabilidad extremas que los hacen aptos para su uso en una gran variedad de aplicaciones.
- Tensión Vds de drenador a fuente de -55V
- Tensión de puerta a fuente de ±20V
- Resistencia Rds(on) en estado de conducción de 60mohm a Vgs de -10V
- Disipación de potencia Pd de 110W a 25°C
- Corriente de drenaje continua Id de -31A a Vgs -10V y 25 °C
- Rango de temperatura de unión de -55°C a 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
31A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
55V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.06ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002654
Trazabilidad del producto